Dielektrische Hoch-K-MOSFETs treiben die technologische Entwicklung voran : Verlag Unser Wissen : 9786207053490 : 6207053494 : 16 Jan 2024 : Die Fortschritte in der High-k-Fertigungstechnologie haben enorme Fortschritte in der Mikroelektronikindustrie erm?glicht, indem sie sowohl die Leistung einzelner Transistoren verbessert als auch die Integration von mehr Transistoren auf einem Chip erm?glicht haben. In den kommenden Jahren k?nnte MOS mit High-k die Szenarien f?r die Herstellung kleiner Transistoren ver?ndern. Daher sollten die Studien zu diesem Bauelement mit intensiven Experimenten fortgesetzt werden. Die Auswirkungen des High-k-Dielektrikums (TiO2) werden auch bei NMOS-Transistoren beobachtet. Es wurde festgestellt, dass der Leckstrom unter der Schwelle mit zunehmender Schwellenspannung abnimmt; dies reduziert den Stromverbrauch und verbessert somit die Leistung des NMOS-Transistors. Durch die Verringerung des Gate-Leckstroms und des Sub-Threshold-Swing ist die High-k-NMOS-Struk